La Commissione europea ha approvato un finanziamento che consentirà alla STMicroelectronics, azienda produttrice di componenti elettronici a semiconduttore, di costruire aCatania un impianto specializzato nella produzione di potenti microchip. Un obiettivo che vuole rendere autonomi i paesi dell’Ue dalle eccessive importazioni da parte degli Stati terzi, in particolar modo Cina e Taiwan, e che rientra all’interno del “European Chips Act“*. La misura rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con gli obiettivi stabiliti nella comunicazione sull’European Chips Act.
Due miliardi dall’UE per costruire potenti microchip
La STMicroelectronics ha annunciato che sarà costruito a Catania il nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di carburo di silicio* da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging. L’investimento di circa 5 miliardi di euro avrà il sostegno finanziario dei 2 miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea. Insieme all’impianto di produzione di substrati in SiC* in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito. Questo campus rappresenta la visione dell’azienda di raggiungere l’approvvigionamento interno per il 40% del suo fabbisogno di SiC.
Due miliardi dall’UE per costruire potenti microchip
Sarà il primo in Europa a produrre carburo di silicio da 200 mm per dispositivi di potenza, con test e packaging (ricerca per verificare l’efficacia di una confezione e, più in generale, le reazioni da essa suscitate nei consumatori). L’obiettivo per questo nuovo impianto è l’avvio della produzione a regime nel 2026 con un ramp-up (incremento) alla piena capacità entro il 2033 e una produzione a regime fino a 15.000 wafer (sottile fetta di materiale semiconduttore) a settimana. In sintesi, gli investimenti SiC della Etna Valley* sono pronti a dare impulso all’industria europea dei semiconduttori, a migliorare i dispositivi ad alta efficienza energetica e a guidare i progressi tecnologici. I primi substrati SiC di questo progetto potrebbero arrivare sul mercato già nel 2025. Si prospettano tempi interessanti per il mondo dei semiconduttori!
* European Chips Act: è un insieme di norme europee sui semiconduttori, approvato l’8 febbraio 2022 dalla Commissione Europea, che prevede un finanziamento complessivo di 43 miliardi di euro per raddoppiare entro il 2030 la produzione europea di chip e rendere autonomi gli Stati membri dalle forniture extra Ue.
* Carburo di silicio: Il carburo di silicio (*SiC) è un materiale ceramico composto da silicio e carbonio legati insieme. Esiste anche in natura sotto forma del rarissimo minerale moissanite. Si tratta di un composto con una durezza molto elevata, vicina a quella del diamante. Il carburo di silicio ha proprietà elettroniche eccezionali, come ad esempio una resistenza termica elevata e una resistenza elettrica molto bassa. È un materiale composito utilizzato per produrre wafer (sottile fetta di materiale semiconduttore) che fungono da base per microchip specifici utilizzati in dispositivi di potenza ad alte prestazioni, come nei veicoli elettrici, nelle stazioni di ricarica rapida, nelle energie rinnovabili e in altre applicazioni industriali1. Questi semiconduttori di potenza in carburo di silicio permettono di utilizzare l’energia in modo particolarmente efficiente, e questi vantaggi emergono soprattutto nelle applicazioni a uso intensivo di energia, come la mobilità elettrica. In sintesi, il carburo di silicio gioca un ruolo cruciale nello sviluppo di dispositivi di potenza avanzati, contribuendo all’efficienza energetica e alla sostenibilità delle tecnologie moderne. L’utilizzo di dispositivi SiC riduce la corrente di dispersione e permette al transistor di attivarsi con meno energia. Questo comporta la possibilità di utilizzare componenti passivi più piccoli e generare meno calore. I prodotti finali potranno quindi essere più convenienti, affidabili e ridurre peso e dimensioni anche del 30%.
* Etna Valley: è il nome che venne attribuito alla zona industriale di Catania in seguito all’insediamento di alcune grandi società multinazionali dell’elettronica e dei semiconduttori.
